TO封裝性能的提升離不開等離子表面處理工藝的應用：
       TO是晶體管的形態(tài)，早期晶體管大多采用同軸封裝，后來借用于光通信，稱為光通信，稱為TO封裝，即同軸封裝。目前同軸器件由于制造方便、低成本優(yōu)勢大，基本占據(jù)著熱門的光學器件市場應用。
       在光電器件的開發(fā)和生產(chǎn)中，封裝往往占其成本的60%~90%，其中80%的制造成本來自組裝和封裝過程。因此，封裝在降低成本方面發(fā)揮著重要作用，并逐漸成為研究的熱點話題。
      TO封裝中存在的問題主要包括焊接分層、虛擬焊接或線路硬度不足，導致這些問題的罪魁禍首是鉛框架和芯片表面的污染物，主要是微粒污染、氧化層、有機殘留物等，這些現(xiàn)有的污染物使芯片和框架底板之間的銅線焊接不完整或虛擬焊接，如何解決微粒、氧化層等污染物，提高包裝質量尤為重要。

        等離子表面處理主要通過活性plasma體對材料表面進行物理轟炸或化學反應等單一或雙重效應，從而實現(xiàn)材料表面分子水平的污染物去除或改性。在封裝過程中，可以有效去除材料表面的有機殘留物、微顆粒污染和氧化薄層，提高工件表面的活性，避免引線鍵合分層或虛擬焊接。
       等離子表面處理工藝的應用能夠大幅提高粘合和引線鍵合硬度的性能，還可以避免長期接觸引線框架引起的再次污染。